Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一。这使得功率变换的效率可以达到93%，进而有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。在高达85W输出功率的情况下无需散热片。 

Power Integrations技术副总裁Radu Barsan表示：“Power Integrations不断将高压氮化镓技术的开发和商业应用推进至业界最高水平。这甚至淘汰了业界最好的高压硅MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于氮化镓的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于氮化镓的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的氮化镓技术，比如本次推出的1250V新品。我们致力于将氮化镓的效率优势扩展到更广泛的应用领域，包括目前使用碳化硅技术的应用领域。”

设计人员在使用新款InnoSwitch3-EP 1250V IC时，可以非常放心地明确其设计可以工作于1000V的峰值工作电压，因为1250V的绝对最大值可以满足80%的行业降额标准。这为工业应用提供了巨大的裕量，特别是对那些具有挑战性电网环境的应用尤其重要。因为在这种环境下，耐用性是抵御电网波动、浪涌以及其他电力扰动的重要防御手段。

供货及相关资源

样品现已开始供货;1250V InnoSwitch3-EP IC的批量发货周期为16周。采用INSOP-24D封装的InnoSwitch3-EP 1250V器件基于10,000片的订货量单价为每片3美元。我们还同时推出一份12V、6A反激变换器的参考设计DER-1025，有需要者可免费下载。如需更多信息，请联系Power Integrations销售代表或公司授权的全球分销商：DigiKey、Newark、Mouser和RS Components，或访问power.com。