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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10TTSC顶部冷却封装,

已有406次阅读2024-04-12标签:
 
  【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用OptiMOS™MOSFET技术的SSO10TTSC封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计,并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此,SSO10TTSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。



  PG-LHDSO-10-1-2-3组合

  SSO10TTSC的占板面积为5x7mm2,并且基于已确立的行业标准SSO8(5x6mm2的坚固外壳)。但由于采用了顶部冷却,SSO10TSC的性能比标准SSO8高出20%以上,最高可高出50%(具体取决于所使用的热界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10TTSC封装被JEDEC列为开放市场产品,能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此,该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。

  SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计,减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本,进而减少了整体系统成本和设计工作量。同时,该封装还提供高功率密度和高效率,从而支持面向未来的可持续汽车的发展。

  供货情况

  首批采用SSO10T的40V汽车MOSFET产品现已上市,分别是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。更多信息,敬请访问https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/SSO10T/。
 
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