英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用-企业新闻-新闻-中自数字移动传媒

【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。

600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC

这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封装，不仅简化了设计，还降低了组装成本。在10 V电压下，600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷（Q_g）较CFD7降低了18%，较 P7降低了33%。在400 V电压下，该产品系列的输出电容C_OSS较CFD7和P7降低了50%，关断损耗（E_oss）较CFD7和P7降低了 12%，反向恢复电荷（Q_rr）较CFD7降低了3%。此外，这些器件的反向恢复时间（t_rr）更短，热性能较上一代产品提高了14%至42%。