Q-DPAK封装的CoolSiC™ JFET G1

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示：“市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌将通过CoolSiC™ JFET满足这一日益增长的需求。这项以应用为导向的功率半导体技术，专为赋能客户应对这一快速发展领域中的复杂挑战而设计，为其提供所需的关键技术工具。我们自豪地推出具备业界领先的导通电阻（RDS(ON)）的产品，重新定义了碳化硅（SiC）性能标杆，并进一步巩固了英飞凌在宽禁带半导体技术领域的领导地位。”

第一代CoolSiC™ JFET拥有最低值为1.5 mΩ（750 VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss ）的超低RDS(ON)，能够大幅减少导通损耗。沟道经过优化过的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有高度的可靠性。该产品采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具备可扩展的电流处理能力，能够为紧凑型高功率系统提供灵活的布局和集成选项。其在热应力、过载和故障条件下拥有可预测的开关能力，能够在连续运行中长期保持极高的可靠性。

为应对严苛应用环境中的散热和机械问题，CoolSiC™  JFET采用英飞凌先进的.XT互连技术与扩散焊接工艺，从而显著降低了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提升了其可靠性。该器件基于固态功率开关的实际工况测试和验证，并采用符合行业标准的Q-DPAK封装，可在工业与汽车应用中实现快速、无缝的设计集成。

供货情况

新型CoolSiC™ JFET 系列的工程样品将于 2025 年推出，并于2026年开始量产，后续还将加入多种封装和模块。该产品系列将在纽伦堡 PCIM Europe 2025的英飞凌展台进行展示。了解更多信息，请访问 www.infineon.com/jfet。

英飞凌将参加PCIM Europe 2025
欧洲电力电子系统及元器件展（PCIM Europe）将于2025年5月6~8日在德国纽伦堡举行。英飞凌将在7号展厅470号展台展示低碳化和数字化产品和解决方案。公司代表还将在PCIM Expo舞台和同期举办的PCIM会议上发表多场演讲。进一步了解英飞凌在PCIM 2025展会上的亮点，请访问 www.infineon.com/pcim。