截至2024年，三菱电机已量产第二代平面栅SiC MOSFET芯片，并配套于各种模块实现产品化。图1显示了第二代平面栅SiC MOSFET的MOS元胞截面结构及其特点。首先，使用n型离子注入技术（JFET掺杂）来优化MOS元胞JFET区的结构，降低了JFET区域的电阻。此外，与以往相比，缩小了MOS元胞的尺寸，通过提高MOS沟道密度来降低电阻，并通过使SiC衬底更薄来降低电阻。通过这些改进，如图2所示，三菱电机的第二代SiC MOSFET与第一代相比，导通电阻降低了30%以上。此外，用于保持第二代SiC MOSFET耐压的终端结构采用了FLR（Field Limiting Ring），形成适当的表面保护膜。
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