通过使用SiC，可实现额定电压3.3kV以上的高耐压MOSFET。由于MOSFET是单极性器件，少数载流子不会积聚，所以能够实现极低的开关损耗。一般来说，由于高耐压模块所处理的电流大，需要将功率损耗引起的发热控制在容许值以下，因此将载波频率（开关频率）设置得较低。但通过使用SiC MOSFET，系统能够使用高载波频率，可为系统提供诸如高性能、小型化等前所未有的优点。
高耐压SiC MOSFET的漂移层电阻和JFET区域电阻占导通电阻的比例较大。由于漂移层的电阻是由击穿电压和物理特性值决定的，很难通过设计来降低漂移层的电阻。因此，通过优化JFET区域设计来降低电阻非常重要。在JFET区域的设计中，在降低电阻的同时，为了确保可靠性，还需要抑制最大电场强度。如第11讲所述，通过使用在第二代SiC MOSFET开发中获得的JFET掺杂技术，实现了兼具低电阻和高可靠性的3.3kV SiC MOSFET。此外，高耐压SiC MOSFET还需要考虑的性能是短路耐受能力。当施加高电压时，必须进一步减小短路电流以保证器件免受短路故障的影响。SiC MOSFET短路电流的抑制伴随着导通电阻的增加，因此设计时必须考虑这些特性的平衡。
图1表示3.3kV SiC MOSFET模块的正向特性。图中还显示了与SiC MOSFET具有相同有效面积的Si IGBT的正向特性。在低电流区域，与存在内建电势的Si IGBT相比，SiC MOSFET的通态电压大幅降低。这是SiC MOSFET的一大优点。
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