英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度-企业新闻-新闻-中自数字移动传媒

【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

该封装技术支持在 260°C 温度下进行多达三次回流焊操作，并可在结温高达 200°C 的条件下实现可靠运行，同时确保出色的峰值电流能力。借助英飞凌.XT 互联技术，这些器件在严苛的应用环境下，依旧可实现更优的热性能以及更强的机械可靠性。全新 1400 V 电压等级为更快的开关速度提供了额外裕量，并简化了过压保护措施。这有助于降低对功率降额使用的需求，同时提升整个系统的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其导通电阻（R_DS(on)）等级涵盖6 至 29 毫欧（mΩ），适用于对高功率密度要求严苛的应用场景，例如商用、工程和农用车辆（CAVs）、电动汽车充电以及电池储能系统。英飞凌还提供采用高爬电距离 TO-247-4 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V 系列。该产品组合的R_DS(on) 等级范围为11至38mΩ，其器件同样适用于光伏等应用场景。