【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS™ 7系列为各类工业与消费应用场景提供了理想的解决方案，其产品涵盖高性能开关、电机驱动、R_DS(ON)优化等特定应用领域。

OptiMOS™ 7标识

OptiMOS™ 7 25 V：为优化开关应用量身定制

OptiMOS™ 7 25V MOSFET跳脱出传统通用型设计思路，提供专为开关应用量身定制的产品型号。该系列产品重点面向诸如中间总线转换器（IBC）等应用，这类转换器采用多种拓扑结构，用于48V电压转换以支持AI核心供电。此外，它还广泛适用于电信设备和传统服务器中的开关模式电源（SMPS）应用。该产品组合分为两大技术类别：分别采用硬开关拓扑结构和软开关拓扑结构做设备优化。前者具有出色的米勒比、性能指数（FOM）和R_DS(ON)10；后者具有超低的R_DS(ON)45和FOMQ_g。新一代产品根据优化类型不同，其R_DS(ON)和FOM较OptiMOS™ 5 25V分别最多降低20%和提升25%。

OptiMOS™ 7产品组合

OptiMOS™ 7 40 V：为优化电机驱动量身定制

OptiMOS™ 7 40 V MOSFET专为电机驱动应用而设计，较前代产品具有更低的R_DS(on)、更强大的栅极特性和抗噪性能，并且其安全工作区（SOA）扩大了三倍。其较低的跨导特性优化了电流分布，进而减少电压过冲，同时提高在恶劣工况下的性能。该产品组合适用于电机驱动应用、电动工具和园艺设备，可提供极高的可靠性、效率和功率密度。

供货情况

为优化开关量身定制的OptiMOS™ 7 25 V产品组合采用源极向下PQFN 3.3x3.3封装，并提供底部散热和双面散热两种版本，其中心栅极布局设计可实现灵活、优化的PCB布局。更多信息，敬请访问https://www.infineon.com/products/power/mosfet/n-channel/optimos-strongirfet/optimos-7/optimos-7-switching-optimized

为优化电机驱动量身定制的OptiMOS™ 7 40 V产品组合提供SuperSO8（5x6）和PQFN 3.3x3.3两种封装。更多信息，敬请访问https://www.infineon.com/products/power/mosfet/n-channel/optimos-strongirfet/optimos-7/OptiMOS-7-motor-drives-optimized