SiC JFET和SiC MOSFET在器件结构上存在明显的区别， SiC JFET以轻掺杂的 N 型 SiC 漂移层为导电沟道，在沟道两侧制作 P 型栅区，形成天然的 PN 结。源极与漏极均为 N 型重掺杂区，栅极引出 P 型区，通过控制栅源 PN 结的反向偏置电压，调节沟道的导通与关断。
由于结构上的差异，使得SiC JFET自带许多不同于SiC MOSFET的特性, 主要有以下几点：
在高感性工作负载下， 负载存储的能量往往会超过SiC JFET数据手册中给出的雪崩能量极限，不能单独依靠SiC JFET自身承受较大的能量，可以将SiC JFET配合MOV工作以承受更大的能量。当关断时刻 SiC JFET 的漏极电压超过 VDSS 并进入雪崩模式时，电流将切换至MOV作为主要能量吸收元件的器件，吸收负载产生的大部分能量，此时需要限制通过SiC JFET的最大电流在 IAS 以内。
在导通时，栅极驱动IC向低压MOSFET和SiC JFET栅极引脚提供正栅极偏压。SiC JFET栅极的正栅极偏压限制在+2V，避免驱动SiC JFET的栅源二极管进入导通状态。低压MOSFET的正栅极偏置将SiC JFET的源极电位连接至参考电位。在导通模式下不使用钳位电路。
当关闭SiC JFET时，栅极驱动 IC 将切换为 0V 输出，从而关闭低压 MOSFET，同时为 SiC JFET 栅极提供 0V 参考电位。当低压MOSFET关断时，其漏极电位将升至约15-20V为SiC JFET提供更高的源极电位，从而产生负的栅源电压，进而使器件关断。为防止在dv/dt诱导的米勒电流情况下SiC JFET栅极被正向偏置，钳位电路被启用。钳位电路将把任何米勒电流短路至参考电位。
