“我们的2200V PowiGaN™技术可为各类新一代高压电力系统提供充足的电压裕量，同时能够实现高开关频率，满足最大化功率密度的设计需求。”PI总裁兼首席执行官Jennifer Lloyd表示：“适用的新兴应用场景包含下一代AI数据中心（行业技术路线图规划采用1500V配电架构）以及输出电压（48V）持续提升的下一代电动汽车电池系统与辅助电源系统。本次重要技术进展将氮化镓的应用范围拓展至以往碳化硅（SiC）占据主流的电压区间，可为光伏、高压直流输电、高端工业电能变换等应用领域提供具备竞争力的高频备选方案。”

得益于优异的工作效率与高频开关特性，氮化镓功率器件已在众多电源转换场景中逐步替代传统硅晶体管。然而，随着数据中心、新能源汽车、新能源发电及高压直流基础设施向更高电压、更高功率密度方向迭代，氮化镓技术也需同步升级。目前行业常见的高压方案，主要包含低频碳化硅器件方案，以及多颗低压氮化镓器件堆叠串联方案，两类方案均会在系统集成度、结构复杂度或运行可靠性上存在一定取舍。

目前，1700V规格PowiGaN芯片已应用于单级变换的数据中心辅助电源设计；1250V PowiGaN技术可优化800V直流数据中心主功率变换级的堆叠式设计方案，简化整机架构。全新2200V PowiGaN技术的推出，意味着我们可支撑更高等级母线架构设计，不仅服务于数据中心应用，还能为新能源汽车、光伏逆变器及电池储能系统的中长期产品迭代提供技术适配性。

“AI数据中心800V直流母线架构的普及，正在推动功率半导体方案的迭代升级。“Yole集团化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher博士分析指出：“以往受电压规格限制，氮化镓器件较少应用于主功率变换应用，该场景多采用碳化硅方案。2200V电压等级的氮化镓技术可为主功率级单级拓扑设计提供充足裕量，适配行业正在推进的1500V数据中心与新能源汽车硬件设计。结合行业测算，功率氮化镓器件市场规模预计将于2031年达到35亿美元，高压等级氮化镓技术的落地应用，将成为行业规模增长的重要推动力。”（注1）