【2026年9月16日，德国慕尼黑和美国加利福尼亚州米尔皮塔斯讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球智能能源领导者SolarEdge Technologies公司（NASDAQ代码：SEDG）近日宣布扩大双方合作，共同推进面向AI及超大规模数据中心高压直流配电的固态断路器（SSCB）技术发展。本次合作致力于解决800 VDC架构落地的关键挑战：随着基础设施功率密度持续提升，系统需要具备超高速故障隔离，以在维持高能效的同时实现选择性保护，从而确保安全可靠运行。

双方通过将合作扩展至固态保护领域，填补了固态变压器（SST）与服务器机架之间配电层的关键技术空白，进一步完善了从电网到机架的全链路解决方案的发展。SolarEdge主导SSCB解决方案的设计，英飞凌则凭借领先的碳化硅（SiC）JFET技术为系统提供核心保护能力。

随着AI计算密度快速增长，行业正加速向高压直流配电架构转型，固态断路器解决了实现系统安全可靠运行过程中最基础、最关键的挑战之一。与传统交流系统不同，直流保护具有独特的技术挑战。由于直流电流没有自然过零特性，机械式断路器在故障分断过程中容易产生电弧问题。此外，其分断速度也相对较慢。因此直流系统需要采用与传统交流系统不同的电路保护方法。固态断路器可在数微秒内切断故障电流，无需机械触点分离。结合英飞凌CoolSiC™ JFET器件具备高效的性能与卓越的鲁棒性，该方案能够有效保护高价值算力设备，同时支持更紧凑、更高功率密度的直流配电系统设计。

本次合作基于SolarEdge搭载英飞凌SiC器件的固态变压器平台开展，该项目于2025年11月公布。这款固态变压器可实现中压（13.8–34.5 kV）直接转换为800–1500 V直流，转换效率超99%，将多级电能转换整合为一个解决方案，并缩小了所占空间。

SolarEdge首席执行官Shuki Nir表示：“800 VDC的高密度AI基础设施需要同时具备出色的效率与保护性能。固态保护技术可以同时满足这两项需求，即在不牺牲转换效率的前提下，实现超高速且可靠的故障隔离能力。英飞凌的SiC技术正是该方案实现规模化落地的关键。”

SolarEdge首席执行官Shuki Nir

英飞凌科技执行副总裁兼工业与基础设施业务首席销售官Andreas Weisl表示：“当今数据基础设施更容易遭受电气故障影响，市场对更智能、更快速、更稳定的配电系统需求日益迫切。通过将英飞凌领先的SiC JFET技术与SolarEdge在末端电力配电领域的丰富经验相结合，我们正共同打造面向AI数据中心的先进保护方案，实现更快速、更安全、更可靠的运营。”

英飞凌科技执行副总裁兼工业与基础设施业务首席销售官Andreas Weisl

SolarEdge在直流耦合电力电子领域拥有超15年领先经验，目前正在为AI工厂开发800 VDC供电架构，打造覆盖中压电网接入、功率转换、配电保护直至服务器机架的端到端直流原生供电链路。英飞凌丰富的Si、SiC及GaN产品组合为该方案奠定了技术基础，通过降低损耗、减少环境足迹、优化整机成本，助力AI基础设施向更加可持续的方向发展。