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英飞凌推出2A/mm²双相智能功率级产品,为AI加速器与垂直供电树立全新功率基准

已有72次阅读2026-09-22标签:
 2026922日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)发布TDA235E5TDA235E0双相智能功率级产品系列,旨在满足下一代AI加速器和垂直供电模块快速增长的功率密度需求。该系列将英飞凌OptiMOS™ 6 MOSFET与双相驱动IC集成在6 × 6 × 0.8 mm³的紧凑型封装内,实现超过2 A/mm²的标杆级功率密度,为大电流AI处理器应用的功率级性能确立全新行业参考基准。随着超大规模云服务提供商与数据中心运营商不断扩大AI基础设施部署规模,市场亟需兼顾更大输电能力与更小物理尺寸的供电方案,该需求已成为一项关键的技术瓶颈。

 

 

全新智能功率级产品系列将英飞凌OptiMOS™ 6 MOSFET与双相驱动IC集成在6 × 6 × 0.8 mm³的紧凑型封装中

 

英飞凌科技功率IC产品线副总裁Rakesh Renganathan表示:英飞凌的客户正在打造将会定义未来十年计算基础设施的AI系统。依托英飞凌完整的AI服务器供电生态,TDA235E5TDA235E0功率级器件可为设计人员提供出色的功率密度、散热性能与设计灵活性,助力他们加快研发、实现可靠落地。

 

两款器件最高支持300 A峰值电流,总设计电流(TDC)可达120 A,非常适用于下一代AI xPU加速器,也可用于数据中心内传统服务器CPU。器件同时支持横向供电与垂直供电架构。当前行业正逐步在先进AI处理器封装内部采用垂直供电模块方案,该特性为此类转型提供了设计必需的灵活性。器件具备优异的结-顶热阻抗特性,可集成高效液冷方案。当前单处理器插槽功耗持续攀升,传统风冷散热能力已逼近极限,液冷适配能力的重要性愈发凸显。搭配英飞凌数字多相控制器,该功率级器件可实现灵活、可扩展的多轨供电架构,助力快速迭代的AI服务器平台缩短部署周期。

 

TDA235E5TDA235E0可融入英飞凌端到端AI服务器供电生态,该生态覆盖从电网接入到处理器核心供电的完整供电链路。英飞凌充分发挥硅、碳化硅与氮化镓的互补优势,为数据中心客户提供成熟可靠、可规模化部署的技术路径,助力AI优化的基础设施实现高能效、高可靠性与高功率密度。数据中心供电市场是半导体行业需求增长最快的赛道之一,英飞凌正持续加大产品投入,聚焦功率密度挑战最为关键的元器件领域,抢占市场发展先机。

 

供货情况

 

TDA235E5TDA235E0工程样片现已开放预定,供客户评估。如需更多信息,敬请访问:此处

 

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