AZZURRO表示，硅基氮化镓晶圆的亮度和效率已经可以解决，但产量的问题至今仍无定论。氮化镓与硅之间的巨大晶格失配和热膨胀系数导致LED晶圆在生长过程中会出现高度的翘曲问题。这会对波长、前向电压和输出功率产生不良影响。AZZURRO采用其恰当的特有专利的应变工程技术和生长技术来克服这些障碍。
AZZURRO的突破性成果包括：波长<3nm或0.6%、前向电压为1.3%以及输出功率为3.9%，从而极大地省去binning工序。同时，它还发布了超高晶体质量的直径为150nm的蓝光硅基氮化镓LED晶圆。与此同时，同样令人印象深刻的200mm的LED晶圆显示了该公司技术的可扩展性。
Azzurro最新的生产和发展成果清楚地证明，除了成本较低的基板和采用标准硅晶圆制作LED芯片等成本优势外，基于应变工程技术的硅基氮化镓LED晶圆还可以帮助减少binning。
该公司的联合创始人兼CMO，Alexander Loesing，也是LED技术业务部的领导人，评论说：“我们为团队所取得的1.0nm的成就感到非常自豪。这些结果证明了我们的GaN-on-Si技术让LED行业离生产“1 bin”LED晶圆的目标更近。”
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