随着4G/LTE手机可支持的工作频段和运行模式越来越多，其射频前端部件设计日益复杂、苛刻。除形形色色的频段或模式选择应用之外，天线开关也是射频前端至关重要的主要组件。这些天线开关要么可以选择连接至4G/LTE主用天线的发射(TX)/接收(RX)通道，要么可以设定应当从分集天线接收哪个频段的信号。
英飞凌为智能电话提供了多种类型的天线开关和通用射频开关。相比于高度专业化且价格不菲的SOI技术，英飞凌的Bulk RF CMOS技术采用了标准设备、物料和生产工艺，大大提高了规模经济效益和生产灵活性。比之其他采用砷化镓(GaAs)技术的厂商，英飞凌的Bulk RF CMOS(130 nm)技术具备诸多优势，因为CMOS工艺允许将驱动器和MIPI/GPIO控制电路与开关一同集成到一颗晶粒上。这简化了设计流程，减少了部件数量。英飞凌射频开关实现了极低的插入损耗、出色的隔离性能和很低的谐波振荡。
从各种低掷数射频开关，到包含额外的滤波功能的复杂的高掷数配置，英飞凌提供了各式各样的通用射频开关和天线开关。英飞凌提供的射频开关既有分立式器件，也有外形小巧的倒晶封装TSLP或TSNP元件，还有面向模块制造商的芯片级封装(CSP)元件。此外，英飞凌最近进一步壮大了其产品阵容，推出了一个天线调谐解决方案家族和一款面向LTE载波聚合的天线开关模块。
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