※2　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管

                              X系列HVIGBT模块（CM1000HG-130XA）

1．额定规格6.5kV/1000A，业界最大，易于实现逆变器的大容量化

・采用三菱CSTBT^TM※5 结构的第7代IGBT和RFC二极管^※4 ，与以往产品相比^※5，功率损耗降低

约20％，热阻降低约10％^※5

・因功率损耗与热阻降低，在保持与以往产品^※6 相同封装的前提下，额定电流从750A提升到

1000A，为逆变器的大容量化做贡献

※3　载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※4　Relaxed Field of Cathode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率

※5　将CM750HG-130R与第7代IGBT进行比较的情况

※6　CM600HG-130H、CM750HG-130R

2．在世界上首次实现＋150℃的工作保证温度，为逆变器的小型化做贡献

・通过采用第7代IGBT和RFC二极管^※4 及温度特性更好的封装材料，在耐压6.5kV的条件下，在世界上首次实现了150℃的工作保证温度，达到业界最高水平^※1

・由于可在高温下使用，因此逆变器冷却系统得到了简化，有利于逆变器的小型化，提高了设计的自由度

 3．确保与以往产品外形封装兼容，有助于缩短逆变器的研发时间

・确保外形封装尺寸、输出端子的配置等与以往产品^※6兼容，从而便于替换升级，有助于缩短逆变器的研发时间。

三菱电机的“HVIGBT”模块自1997年实现产品化以来，以其优异的性能和高可靠性获得好评，被广泛应用于铁路车辆牵引系统、直流输电设备以及大型工业设备等的逆变器。

近年来，由于人们环保意识提高，对逆变器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越来越高。

为了满足上述市场需求，本公司此次将发售“X系列HVIGBT模块”，该产品通过采用三菱第7代IGBT和RFC二极管，降低了功率损耗与热阻，易于实现逆变器的大容量化和小型化。

我们首先将推出耐压6.5kV的产品，今后还将增加3.3kV和4.5kV产品，扩大产品阵容，为逆变器的大容量、小型化做贡献。

     ※7　T_j=125°C、I_C（I_E）=1000A、 标准值

           CSTBT是三菱电机株式会社的注册商标。