本次展出的明星产品有：

工业：面向电铁、电力转换、工业用变频器的大型IGBT模块；采用高效率高性能SiC的新一代功率半导体器件；有助于提高设备节能的低损耗MOSFET；广泛应用于电源系统的分立器件产品线；通过硬件进行矢量引擎控制。

东芝此次参展产品的一大亮点是展出了采用第三代半导体技术的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率和高载流子饱和速率等特性，其品质因数远远超过了其他材料，因而成为制造高功率器件、高频器件、高温器件和抗辐照器件最重要

的半导体材料。SiC材料在东芝产品中的广泛使用将进一步夯实东芝在功率器件方面的领先优势，并且为未来发展奠定坚实的基础。东芝目前将SiC材料应用在1000伏以上的工业、能源等大功率产品。

东芝在原有IGBT的基础上通过采用“注入增强结构（IE：Injection Enhanced）”技术实现了低通态电压，推出专利产品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低导通电阻和低开关损耗等特性，实现了大功率变频器的节能，而且其优势随着大功率项目功率等级和电压等级的不断提高而逐步提升。IEGT控制的门极驱动电流小，它既能减少系统的损耗，也能提高元件的使用寿命，且IEGT调速空载时系统损耗低，符合绿色节能的要求，使得系统运行成本更为经济。东芝的IEGT已经在为中国电力转换设备实现高效、节能、轻小型的目标做出贡献。

东芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封装上还采用了PMI（塑料模块）和东芝独有的PPI（压接式）两种方式。塑料模块式封装采用螺纹连接，它具有方便拆卸的特性；压接式封装具有无焊层、无引线键合、双面水冷散热和失效短路的特点。这两种封装的采用，使得东芝的IEGT器件具有更低的热阻、更高的工作结温、更低的寄生电感、更宽的安全工作区和更高的可靠性，在减少器件的同时大幅提高了功率密度和系统可靠性。

东芝此次还带来了市场份额第一的光耦器件，新的LED技术使得东芝的光耦得以满足多种技术条件，如具备使用寿命长，可靠性高以及工作温度高等特点，其原生的低功耗设计使得东芝的光耦更节能。其新的封装形式可以使器件直接贴装在PCB板的背面，为系统节约空间。