由于物联网（IoT）等信息密集度较高的应用领域的快速发展，实时性能被视为重要要求，大量的数据必须由大数据系统进行管理或无限期存储到数据中心和云服务系统。在这种情况下，需要大容量存储以便能够以高速和低功耗的方式处理、存储和管理大量的数据。而且对于移动终端、存储卡等应用而言，低功耗存储的需求正在日益增长。BiCS FLASH相比于平面NAND闪存提供了许多优点，它正逐步成为满足市场要求的解决方案。

东芝于1987年发明了NAND闪存，并且率先于1991年开始量产该产品，这开创了世界的先例。随后，通过缩小制造工艺和工艺技术节点，东芝不断增大NAND闪存的容量，并于2007年6月推出全球首款^[1]BiCS FLASH^TM原型技术。多年来通过不断致力于下一代技术以及大批量生产技术的研发的东芝，在2016年7月推出世界首款^[2]64层3D NAND样品，进一步满足了国际市场对更小体积、更大容量闪存的需求。

本次获奖的最新一代64层BiCS FLASH^TM 技术产品，其采用了3位元（三阶存储单元，TLC）技术，容量达到256千兆比特（32GB），与48层堆叠工艺相比，东芝领先的64层堆叠工艺使每单元芯片尺寸容量提高40%，降低了位存储成本并提高了每个硅晶片内存容量的可制造性。64层BiCS FLASH™这一重大进步凸显了东芝专利结构的潜力，不仅可以满足严苛的性能规格需求，同时充分发挥了BiCS FLASH产品的高密度／高容量、快速编程速度、高可靠性、低功耗等特点，该新器件将适用于企业级和消费级固态硬盘、智能手机、平板电脑和内存卡等应用。

东芝表示，为了应对快速发展的信息技术，东芝将继续完善BiCS FLASH™技术，公司发展蓝图的下一里程碑是64层512千兆比特（64GB）器件。未来，东芝将推出更多主要瞄准大容量应用领域的产品组合，如消费级固态硬盘、企业级固态硬盘等，同时该技术的闪存同样可以应用于智能手机、平板机、存储卡。