英特尔高管亮出的10纳米晶圆，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。它将于今年年底前正式投产，号称领先其他友商们的“10纳米”整整一代，以时间来算，则领先3年时间。
不同于以往的低调，这一次英特尔直接在PPT上与竞争对手台积电和三星PK。英特尔将10纳米技术密度进行了对比，称在栅极间距、最小金属间距等技术指标上都处于领先地位。
“老虎不说话，当我是病猫？”当被问及为啥直接吊打台积电和三星的时候，英特尔中国区总裁杨旭撂下这句话。
据称，10纳米比上一代的14纳米制程性能提升25%和降低45%的功耗。
英特尔“发狠”的背景是，全球芯片竞争格局正在发生微妙的变化。有消息称，由于移动设备和数据服务器对于芯片的强劲需求，三星预计将在本季度首次超越英特尔，成为全球第一大芯片制造商。
另外，摩尔定律是否失效是近两年来业界讨论的热门话题，英特尔称所掌握的超微缩技术将为摩尔定律正名，可以继续提升晶体管密度和降低单位成本，从而继续把摩尔定律向前推进。
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