富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET
日期:2011-12-28 14:00
上市目的
如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。其中，MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2，可大幅度地降低损耗。据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。
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