瑞萨电子发布首款嵌入式闪存技术
日期:2012-01-09 16:08
据悉，近日，全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称瑞萨电子)宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术，针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商，采用该技术的首款产品预计将于2012年秋季开始供应。
瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS(金属氮氧硅)技术方面，拥有丰富的经验且广受好评。在2007年，瑞萨电子便成为第一家推出90nm汽车用闪存MCU产品的厂商。
瑞萨电子闪存MONOS技术为可扩充的
1/2 下一页 上一页 首页 尾页
返回
刷新
WAP首页
网页版
登录
09/23 20:38