瑞萨电子发布首款嵌入式闪存技术
日期:2012-01-09 16:08
技术，不仅可靠性高且具备高效能。40nm闪存测试组件的评估结果，已证明其在三个重要的参数(数据保存、程序/擦写周期耐受性及程序设计时间)方面，均能成功做到优异的特性表现。40nm制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。
瑞萨电子40nm闪存IP保证数据可保存20年，并可在最高170℃结合温度下进行读取。此外，程序代码闪存支持120MHz读取速度，而数据闪存即使在125,000次程序/擦写周期后，仍可达到业界领先的20年超长数据保存时间。
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