意法半导体最新推出超结型MDmesh V系列
日期:2012-01-13 14:57
源和太阳能电力转换器，能为其在节能技术领域跨大步。设计工程人员可将新产品替代导通电组较高的MOSFET，以提高终端应用的能效，或置入更少的MOSFET电晶体，从而减少封装尺寸并降低材料（BOM）成本。
功率电晶体市场总监MaurizioGiudice表示，新记录巩固意法半导体在超接面（Super-Junction）MOSFET市场的地位，MDmeshV展现意法半导体最新经市场验证的多重漏极网格（Multi-DrainMesh）技术，新产品的更高性能降低应用设计能耗。
值得注意的是，该公司MDmeshV系列产品拥有高安全范围，能提高MOSFET对交流（AC）电力线上一般一边突波电压
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