运动传感器的发展新方向
日期:2012-02-10 14:24
磁场的方向和方位。
英国南安普顿大学纳米组的纳米电子学教授HiroshiMizuta说与传统传感器相比，这种微机电系统和互补金属氧化物半导体相结合的技术将提高传感器的敏感度，并缩小传感器芯片的体积，降低芯片的成本。
Baolab公司的每个纳米微机电系统传感器的长度都不足90微米。德鲁表示将三种类型的传感器集成在一个3毫米长的芯片上是可能实现的。和传统传感器相比，这种微机电系统和互补金属氧化物半导体相结合的技术将提高传感器的敏感度，并缩小传感器芯片的体积，降低芯片的成本。
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