Vishay 推出的下一代D系列MOSFET
日期:2012-05-04 15:19
产品介绍：
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。
今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。
400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服
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