Vishay 推出的下一代D系列MOSFET
日期:2012-05-04 15:19
务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65-nC、15.6-nC和12.3-nC。
新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令，符合IEC61249-2-21的无
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