华润上华600V和1700V IGBT工艺平台开发成功
日期:2012-05-30 15:54
（中国江苏无锡， 2012年5月29日）华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称华润上华）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，并顺利通过可靠性考核。加上去年成功量产的1200V Planar 和Trench NPT工艺平台，华润上华已成为国内首家具备包含前道和背面工艺的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工厂。
华润上华已具备60m以上的IGBT薄片加工能力。此次开发量产的600V Planar NPT
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