华润上华600V和1700V IGBT工艺平台开发成功
日期:2012-05-30 15:54
Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量产；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平台已于近期开发完成；2500V Planar NPT IGBT的静态参数和动态参数已经达到设计目标，并通过预考核。同时，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT静态参数DC如V(BR)CES 和VCE(on) 也已经达到预期结果。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发了量产6英寸高压平面栅400-700V MOSFET、6英寸中压平面栅50-200V MOSFET、8英寸低压沟槽栅20-40V MOSFET、
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