华润上华600V和1700V IGBT工艺平台开发成功
日期:2012-05-30 15:54
英寸中压沟槽栅50-80V MOSFET等丰富的功率器件工艺平台。近两年在IGBT各类工艺平台的开发成果，使得华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内功率器件产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。

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