1 引言 随着电力电子技术的快速发展，大功率变频器在工业驱动、新能源及轨道交通等领域得到了广泛应用。作为变频器核心部件之一，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率单元的热管理性能直接影响系统的运行效率与可靠性。在实际运行过程中，IGBT芯片内部温度分布呈现明显的不均匀性，其中基板中心区域往往由于电流密度集中和热流耦合作用形成温度峰值。然而，该关键区域的温度难以通过传统测量手段直接获取。 目前工程中普遍采用的温度测量方法，多是将热电偶或热敏电阻等测温探头布置在器件边缘或封装外壳附近[1]。这种方式虽然实现[登陆后可查看全文]