摘  要：传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制，而新型宽禁带半导体材料（以碳化硅和氮化镓为代表）的出现突破了电力电子器件的发展瓶颈，成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。本文介绍了碳化硅材料的优良特性，碳化硅器件的常用类型、应用领域、国内外最新研究进展，最后总结了该器件目前发展存在的问题，并提出建议。 关键词：宽禁带半导体；碳化硅；电力电子器件 Abstract: The traditional silicon material devices are limited in many applications, such as high temperature, high vo[登陆后可查看全文]