日本信越化学当地时间9月3日宣布成功开发出用于氮化镓GaN外延生长的300mm（IT之家注：一般也称12英寸）的QST衬底，并已从近期开始向客户供应相关样品。
相较于以12英寸晶圆为主流的硅半导体，氮化镓生产目前仍集中在6英寸与8英寸上，这其中部分是因为氮化镓和硅热存在热膨胀系数差异，大尺寸硅基衬底容易导致在其上生长的氮化镓外延层出现翘曲与开裂。
信越化学的QST衬底技术源自美国企业Qromis的专利授权，这一复合材料具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数，减少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现缺陷的风险，更适宜大厚度、高电压氮化镓器
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