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安世半导体:完善GaN产品组合

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近日,Nexperia(安世半导体)宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场,包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信,尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。 自2023年推出E-mode GaN FET以来,Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商,为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。 Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件[登陆后可查看全文]
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