·本刊编辑部
在全球能源结构转型与碳中和目标的推动下,新能源汽车产业正迎来爆发式增长。据行业预测,到2030年,全球新能源汽车销量占比将超过50%,这一趋势对电驱动系统的性能提出了前所未有的高要求。作为新能源汽车核心技术的关键支撑,宽禁带半导体凭借其卓越的性能优势,正逐渐成为行业焦点。
宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),相较于传统硅基半导体,具备更高的击穿电场、更快的开关速度、更低的导通电阻以及更好的高温稳定性等特性,这些优势使其在新能源汽车的电机控制器、车载充电机(OBC)、直
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