在全球能源结构转型与碳中和目标的推动下，新能源汽车产业正迎来爆发式增长。据行业预测，到2030年，全球新能源汽车销量占比将超过50%，这一趋势对电驱动系统的性能提出了前所未有的高要求。作为新能源汽车核心技术的关键支撑，宽禁带半导体凭借其卓越的性能优势，正逐渐成为行业焦点。 宽禁带半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），相较于传统硅基半导体，具备更高的击穿电场、更快的开关速度、更低的导通电阻以及更好的高温稳定性等特性，这些优势使其在新能源汽车的电机控制器、车载充电机（OBC）、直流-直流变换器（DC - DC）等关[登陆后可查看全文]