华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新——氟注入终端（FIT-MOS）技术——显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这项研究成果为千伏级电力电子系统提供了极具成本效益的解决方案。 该研究成果已以《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》为题，发表于国际顶级期刊《IEEE电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）上。   图片来源：IEE[登陆后可查看全文]